7 月 10 日音讯，运用资料公司（Applied Materials, Inc.）于 7 月 8 日发布新闻稿，宣告推出芯片布线立异技能，通过业界初次在量产中运用钌，让铜芯片布线 纳米节点及更高水平，且电阻最高降幅到达 25%。

  当时芯片的晶体管规划已发展到数百亿等级，出产的悉数过程中需要用微细铜线进行衔接，总长度或许超越 95.5 公里。

  现有干流芯片布线一般从一层介电资料薄膜开端，通过蚀刻工艺之后，构成能够填充铜细线的通道。

  而在曩昔数十年发展中，业界的首要布线组合选用低介电常数薄膜和铜，蚀刻每一层低介电常数薄膜，以构成沟槽，然后堆积一层阻障层，避免铜迁移到芯片中形成良率问题。

  接着，在阻障层涂上一层衬垫，保证在终究的铜回流堆积过程中的附着力，然后缓慢地用铜填充剩下的体积，然后不断迭代改善微缩、功能和功耗等等。

  运用资料最新提出了增强版 Black Diamond，是现有 Black Diamond PECVD（等离子体增强化学气相堆积）系列的最新产品。

  这种新资料降低了最小的 k 值，微缩推动至 2 纳米及以下，一起供给更高的机械结构强度，对将 3D 逻辑和存储器仓库升级到新的高度的芯片制造商和体系公司至关重要。

  应材最新的整合性资料解决方案 IMS（Integrated Materials Solution），在一个高真空体系中结合了六种不同的技能，包含业界创始的资料组合，让芯片制造商将铜布线 纳米及以下节点。

  该解决方案选用是钌和钴（RuCo）的二元金属组合，将衬垫厚度削减 33% 至 2nm，为无空地铜回流发生更好的外表特性，此外线%，来提高芯片功能和功耗。

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